La situación de partida es la del cristal semiconductor representado en la Figura 2.1, es decir, tenemos un semiconductor con una zona tipo p junta a una zona tipo n. Suponemos que todas las impurezas están totalmente ionizadas y que los portadores que tenemos en cada una de las zonas provienen de las propias impurezas, es decir, prescindimos de momento de los pares e- - h+ que se forman por agitación térmica. Como ya se ha comentado en el capítulo anterior, en la zona n cada átomo de impureza donadora (átomos con 5 e- de valencia) al introducirse en la estructura cristalina del silicio, produce un e- libre, quedando, por tanto, el átomo cargado positivamente. Así, podemos representar un semiconductor tipo n como se muestra en el lado derecho de la figura
